개날연블로그

   사실 변수에 대한 내용은 할까말까 고민을 많이 했었습니다. 누군가 '스퍼터링시 온도를 올리면 어떻게 변하나요' 라고 물어봤을때, 제 대답은 '일단 해봐. 해보면 바로 알수있잖아' 입니다. 잘난체 하는것이 아니라 솔직히 이것보다 더 좋은 대답은 없다고 생각합니다. 그냥 강의실에서 책과 이론으로만 공부하는 경우라면 별수없이 온도가 어떤 영향을 주는지 이렇게 저렇게 설명을 해보겠지만, 실제로 실험실에서 실험을 하는 사람에게 있어서 직접 해보는것 이상 더 좋은 설명이 있나 싶습니다. 본인이 직접 해보고 측정해보면 책 몇권 읽은것보다 더 확실히 알 수 있고, 완전히 자신의 지식으로 흡수되어 응용을 해 나갈 수 있습니다. 그래서 여기서 굳이 변수에 대한 이야기를 해야할까 고민을 했습니다. 그러나 그래도 조금만 해볼까 생각한 이유는, 제가 설명하는 것은 하나의 경우일 뿐, 어차피 모두 조건이 다르니 서로 같은 값이 나오지는 않을 것이기 때문입니다. 많은 시행착오를 겪으면 겪을 수록 좋지만 언제까지나 시행착오만 하고있을 수는 없는 사람들도 많기 때문에 실험에 있어 몇몇개의 예를 들면서 일반적인 현상에 관련된 설명정도는 괜찮을 듯 합니다. 또한, 연구자 본인이 애써 잘 만들어놓고도 이게 맞는지 아닌지 알수없어 고민하는 경우도 많이 봐왔습니다. 그럴때 잠깐 참고 정도는 될 수 있지 않나 하는 생각입니다.  

   박막의 성장부분에 들어와서 우리는 박막의 핵이 만들어지고 어떤 모습으로 성장하는지를 보았고, 두께분포가 어떻게 이루어지는 지도 보았습니다. 중요한것은, 여태도 그랬지만 이제 나올 내용들도 '응, 그렇구나'가 아니라, 정말 그런지 모두 실제로 박막을 입혀가면서 확인해봐야 할 문제들입니다. 내가 어떤 타겟 물질을 스퍼터링 하느냐에 따라, 그리고 스퍼터링 변수를 어떻게 조절하느냐에 따라 결과는 모두 다르게 나타나기 때문입니다. 결국, 내가 원하는 물질을 내가 원하는 형상으로, 그리고 내가 원하는 물리적-화학적 성질을 갖게 하기위해서는 스퍼터링 변수를 그에 알맞게 조절하고 설정해야 합니다. 그 변수들과 변수의 값을 찾는것. 이것 몇개만 제대로 찾아도 논문이 몇편 나올정도로 매우 중요한 작업이 되죠.

   스퍼터링의 변수들은 그냥 당장 말할 수 있는것만 해도, 인가전력, 작업압력, 기판온도, 반응가스 분압, 시간 등 다섯가지는 됩니다. 이 변수들을 조절할 수 있는 범위의 값을 모두 조합해보면 그 경우의 수는 상상을 초월합니다. 여기에 타겟과 기판의 거리, 자기장의 세기나 범위, RF 또는 DC 같은 파워의 특성 등 세부 사항들을 또 변수로 넣어서 고려한다면 어마어마 해지죠. 그래서 변수값을 찾아내는 것은 정말로 끊임없는 반복 실험의 결과 입니다. 필요한건 시간과 노력 뿐이죠. 정말 단순한 이치입니다.

  스퍼터링 변수에서 인가전력, 작업압력, 기판온도의 세가지는 그야말로 모든 변수들 중 핵심입니다. 바로 박막의 상(phase)을 결정하기 때문이죠. 반응가스의 분압도 상을 결정하는 변수지만 이것은 반응성 스퍼터링을 할 경우에 해당하기 때문에 나중에 따로 이야기를 하겠습니다. 각각의 변수들에 대해 모두 이야기가 진행될 것이지만 이번에는 그 첫번째로 스퍼터링시 파워 즉, 인가전력에 관해 살펴봅니다.

   먼저 스퍼터링율(http://marriott.tistory.com/123)에서 나왔던 이야기를 잠시 다시 가져옵니다. 스퍼터링율에 영향을 주는 요인들 중 가장 큰 것이 가속전압 V 라고 했습니다. Ar 이온이 타겟에 얼마나 강하게 충돌하냐에 따라 타겟 원자들이 몇개나 떨어져 나올 것인지가 결정되니까요. 이 가속전압 V 는 우리가 power supply를 통해서 값을 조절하여 줄 수가 있습니다. 그런데 전압은 양극와 음극사이에 걸리는 에너지의 차이 일뿐, 전압만 있어서는 전기가 통하질 않습니다. 실제로 전기가 흐르려면 전자의 이동인 전류(A)가 있어야 합니다. 이렇게 V 라는 에너지를 가진 전자가 얼마나 많은 수가 이동하는가를 전력 W 로 나타냅니다. W = V x A 가 되는거죠. 이때 전자들은 음극표면인 타겟으로 부터 방출되면서 Ar 원자와 충돌하여 Ar을 이온화 시키기 때문에 전자수가 증가할 수록 이온화도가 증가합니다. 이것을 스퍼터링의 입장에서 바꿔 말하면, 전압 V는 Ar 이온이 얼마나 강한 힘으로 타겟에 충돌하는가 이며, 전류 A 는 그 Ar 이온이 타겟에 몇개나 충돌하는가 입니다. 결국 V와 A가 증가하여 전력 W 가 높으면 높을 수록 Ar 이온이 강하게 많이 충돌하니까 스퍼터링율이 증가하게 됩니다.  하지만 스퍼터링시 Ar 이온의 에너지가 높다고 무작정 좋지는 않다는 말씀을 드렸습니다. Ar 이온이 타겟으로 들어오는 에너지가 너무 강하면 타겟 원자들을 뚫고 박혀버리기 때문에 스퍼터링율이 오히려 감소합니다.

충돌하면 이렇게 막 튕겨나가야 하는데...

넘쎄게 충돌하면 이리된다는거다.

퓨슉- 하고 박히는건가

   아래 그림은 꽤나 오래전에 TiO₂ 박막을 만들었을때 해봤던 실험인데요, DC 전력을 100W ~ 600W 까지 변화시키면서 증착시켜 본 박막의 증착속도를 그래프로 그린겁니다. DC 전력이 증가할수록 직선적인 증가를 보이다가 약 400W 에서 부터 기울기가 낮아지면서 스퍼터링율의 증가가 전력증가량을 따라가지 못하고 있다는 것을 알 수 있습니다. 다시 말씀드리지만, 이곳에 나오는 수치는 제 실험 장비와 제 실험 조건에서 나온 것일 뿐입니다. 모두가 다른 장비, 다른 조건에서 실험하므로 같은 전력이라 해도 전압, 전류값이 다르고, 그 외 실험 변수들에 따라 어디서 최대가 될지는 모두 다르게 나올 수 밖에 없습니다. 그러므로 이렇게 진행된다는 경향만 보면 충분 합니다. 

인가전력에 따른 증착속도의 변화라고나 할까

   이 전력 상승에 의한 에너지 효과는 타겟에서만 나타나진 않습니다. Ar 이온의 충돌에너지가 증가하면 타겟에서 튕겨나오는 타겟입자의 에너지도 같이 증가합니다. 그리고 그 에너지를 가지고 기판에 도달하기 때문에 스퍼터링된 타겟 입자와 기판과의 충돌에너지도 같이 증가합니다. 전력은 박막의 상(phase)를 결정하는 변수라는 말씀을 드렸습니다. 이때 기판에 들어오는 원자나 입자의 에너지가 너무 낮을 경우, 기판 표면에서 움직일 수 있는 운동에너지를 갖지 못해 안정한 격자자리로 이동하지 못하고 비정질이 형성되는 경우가 많습니다. 그리고 화합물 박막 형성시에는 정확한 화학양론비를 형성하지 못해서 원하는 상을 얻지 못할 수도 있습니다. 그래서 전력이 낮으면 단지 스퍼터링율만 낮은것이 아니라, 박막의 물성에도 큰 영향을 주게 되는거죠. 

X-ray diffraction patterns of TiO₂

어떤가. 이런 그림이 있으니 이제 좀 전문적 같은가.

XRD가 뭐냐는 질문은 받지 않는다. 그거 대답하려면 박막 접어두고 6개월은 걸린다. -_ -

   위 그림은 DC 전력 변화에 따른 XRD(X-Ray Diffraction) 데이터 입니다. 150W의 인가전력에서는 별다른 피크(peak)가 보이질 않습니다. 낮은 전력에서는 기판에 들어오는 입자들이 결정을 형성할 수 있는 충분한 에너지가 공급되지 못해서 대부분 비정질로 형성되었다는 뜻이죠. 전력이 250W 이상에서 피크들이 뚜렷하게 나타나기 시작하는데 (101), (200), (211), (204) 등의 TiO₂ anatase 상 회절면이 등장합니다. 그리고 450W 까지 전력이 높아지니까 각각의 피크 강도가 증가하고 날카로와 지는 모습을 확인할 수 있죠. 비정질이 사라지면서 점차 결정화가 이루어졌다는 뜻 입니다. 이렇게 인가전력이 높아짐에 따라 결정성이 증가하는 것은 스퍼터링된 된 입자들이 충분한 에너지를 갖고 기판에 들어와 제자리를 잘 찾아가서 결정성을 향상시켰기 때문입니다. 그리고 그렇게 높은 에너지로 인해 박막은 치밀해지고, 기판과의 밀착력도 같이 향상됩니다.

이넘 인가전력 100W

배율이 10만배인데 표면이 이러면 초점 잡기가 쉽지 않아여..;ㅁ;

이넘 인가전력 300W

인가전력에 따른 TiO₂ 박막 표면의 변화

   말 나온김에 인가전력의 차이에 따라서 박막의 미세조직이 어떻게 변하는지 한번 봅시다. 위 사진은 TiO₂ 박막의 표면을 SEM(Scanning Electron Microscope)이라고 하는 주사전자현미경으로 관찰한 것입니다. 전력 100W 에서 제조된 비정질 박막의 경우에는 뭐가 있는건지도 확인하기가 쉽지 않습니다. 배율이 10만배로 관찰된 것인데요, 전자현미경 자체의 성능 문제도 있겠지만 촛점을 잡기 위해서는 표면에 어떤 굴곡이나 요철같은 부분이 있어야 하는데 그렇지 않고 매끈하면 촛점잡기도 무척이나 어려워 집니다. 인가전력이 300W 으로 증가하면 경계들이 선명해지고 입자감을 느낄 수 있으며, 입자들의 크기는 대단히 불규칙한 형태를 보이고 있습니다. 그래서 인가전력이 증가하면서 비정질에서 결정으로 변화할 수 있는 에너지를 공급받았다고 보여집니다. 그리고 '스퍼터된 입자의 상태와 성질'(http://marriott.tistory.com/126)에서 설명한 것 처럼 Ar이 타겟과 충돌할때 높은 에너지로 커다란 클러스터 들이 튀어나오고 이들이 기판에 증착되며 표면이 불규칙해 진 것도 영향을 주었을 거라 생각됩니다.

    그런데 여기서 문제가 하나 발생합니다. 인가전력이 높아지면 기판에 들어오는 입자의 에너지와 수가 증가하게 되는데, 이렇게 높은 에너지의 입자들이 기판을 때리면서 들어오기 때문에 기판 온도의 상승을 가져옵니다. 더욱이 타겟에서 부터 전자의 방출이 증가하며, 이온화율의 증가로 인해 2차 전자들의 수도 같이 크게 증가합니다. 이들 2차 전자들은 양극인 기판쪽으로 이동하는데, 전압이 높을 수록 더욱 가속되어 이미 형성되고 있는 박막 표면으로 충돌합니다. 그래서 2차 전자의 충돌은 기판과 박막 표면 온도의 급격한 상승을 가져오는 주된 원인이 되며, 반도체 박막같은 민감한 경우는 전자의 충돌이 표면에 결함을 발생시킬 수도 있습니다.  

  기판을 가열시키는 것은 타겟도 마찬가지 입니다. 스퍼터링시 타겟 표면이 가열되면서 열복사에 의해 기판도 같이 가열되기 때문입니다. 만약 타겟 아래 냉각이 충분치 않은 상태에서 전력을 증가시키게 되면, 타겟 표면이 시뻘겋게 가열된것도 보실 수 있습니다. 그정도면 타겟이 몇도까지 올라갔는지 짐작이 되시겠지요. 보는것 만으로도 아주 후끈후끈 합니다. -_ - 그러니 열복사로 기판이 가열되는것도 당연합니다. 타겟 가열의 문제는 냉각만 충분하다면 어느정도 제어가 가능합니다만, 그래도 2차 전자의 생성은 막을 수가 없습니다. 제가 사용하는 기기의 경우, 기판 뒤쪽에도 냉각장치가 달려서 어느정도 기판 온도를 낮추는 것이 가능 합니다. 언젠가 한번은 냉각장치를 끄고 스퍼터링시 기판 온도가 얼마나 올라가나 전력을 올리면서 실험을 해봤더니 260℃ 까지 올라가는 것을 본 적이 있습니다. 이렇게 기판 온도가 계속 올라가게 되면 Zone Model에서 나왔던 것 처럼 미세조직도 변화하고 박막의 물성도 따라서 변화하기 때문에 우리가 원하는 박막을 형성하기가 어렵습니다. 기판온도를 따로 올리지 않았는데도 기판온도를 계속 올린 효과를 가져오게 되는거죠. 마그네트론 스퍼터링에서는 타겟 아래에 장착된 영구자석의 자기장으로 전자를 가둬놨기 때문에, 기판으로 들어오는 전자의 수를 대폭 감소시켜 기판의 가열을 상당히 방지할 수 있지만, 그래도 만족할 만큼은 아닙니다. 정확하고 일정한 물성의 박막을 얻기 위해선 스퍼터링율을 조금 손해 보거나, 시간이 더 걸리더라도 언제나 균일한 온도를 유지하는 것이 필요합니다.






...by 개날연..

후.. 간만에...  - _-

시간이 없다기 보단 게으른게 맞겠지요 -_ -

주말에 뭔 바람이 불었는지 물이 보고싶어 미쳐서 당일치기로 영월-평창-둔내-안흥을 디비고 왔더니

오늘 오전까지 뻗어있었습니다. ㅠㅠ

근데 못보고 온게 있어서 다시 가야함 -_ -

그나저나 어째 오늘은 그림도 몇개 없고 글만 잔뜩 싸질러서 정말 재미가...ㅠㅠ

글 : 개날라리연구원
그림 : 개날라리연구원
업로드 : 개날라리연구원
발행한곳 : 개날라리연구소



........ - _-y~

   예고드린 대로, 박막의 두께 분포 이야기를 해보겠습니다. 사실 이 내용은 '박막 두께의 결정(http://marriott.tistory.com/134)' 글에 바로 이어져서 나왔어야 하지 않나 싶긴 한데요, 일단 박막을 성장시켜야 두께분포도 알수있는것 아닌가 싶어서 박막 성장 이야기 뒤로 뺐습니다. -_ - 정말 별 쓰잘데 없는 이유죠 -_-  

   박막의 두께 결정 내용에서 박막 두께가 부위에 따라 다를수 있다고 이야기를 했었습니다. 그리고 특히 실험실에서 작은 원형 타겟을 사용하는 경우에는 두께 편차가 크게 나타나기도 합니다. 그리고 정말 자연스럽게 나타나죠. 그 이유들을 간단하게 몇가지 확인해 봅시다.

   먼저 진공증착(http://marriott.tistory.com/73) 에서 말했던 증발원의 위치에 따른 증착분포 이야기를 다시 꺼내오겠습니다. 일단 증발되는 부위는 점(point) 처럼 아주 작다고 가정을 해봅시다. 이렇게 작은 부위에서 증발되게 만든 증발소스를 흔히 크누센 셀(Knudsen cell) 이라고 부르는데, 이 증발 소스에서 증발되어 나온 입자는 모든 방향으로 직선운동을 하며 진행하여 기판까지 날아가게 됩니다. 스퍼터링에서도 마찬가지 입니다. 타겟에서 스퍼터링 되어 나온 입자는 기판까지 직진하는 것으로 가정해보죠. 문제는 기판의 면적은 보통 타겟의 면적보다 넓다는 데 있습니다. 이것은 곧, 타겟과 기판과의 거리가 모든 부위에서 동일하지 않다는 것을 말해줍니다.

타겟과 기판과의 거리에 따른 박막 두께 분포

기판 중심에서 외각으로 갈 수록 거리가 멀어져 도달 입자 수가 적다

그래서 최종적으로 형성된 박막 두께 분포는 이렇다.

   타겟과 최단거리로 마주보고 있는 기판의 중심부에는 스퍼터링된 입자들이 많이 쌓이고, 기판의 외각으로 갈 수록 타겟과의 거리는 멀어지고 각도도 커지게 됩니다. 결국 외각쪽은 들어오는 입자 수가 적어지게 되어 두께가 얇아지는 현상이 발생하게 되죠. 이렇게 방향에 따라 두께 차이가 발생하는 것을 코사인(cosine) 법칙이라고 부르는데, 타겟과 기판과의 최단거리를 r, 타겟과 스퍼터된 물질이 진행하는 방향과의 각도를 θ 라고 하면, 단위 면적당 두께는 거리의 제곱인 r²에 반비례하고 cosθ 에는 비례한다고 말하고 있습니다. 그리고 이 코사인 법칙은 타겟과 기판과의 거리가 멀어짐에 따라 θ가 증가하기 때문에, 결국 shadowing 효과를 유발시키는 원인으로도 작용합니다. 즉, 모든 기판 표면에서 박막 두께를 균일하게 하기 위해서는 타겟과 기판과의 거리를 모두 일정하게 해야한다는 이야기가 됩니다. 

바로 이렇게 기판을 위치시켜야 한다는 소리가 된다.

   넓은 면적을 가진 기판이 타겟과의 거리가 모두 동일하려면 기판이 아치형으로 굴곡져 있거나, 위 그림처럼 타겟을 중심으로 원을 그리면서 설치되어야 합니다. 그러나 애당초 원통형(cylindrical) 타겟을 사용하여 원형으로 기판을 설치할 수 있도록 만들어 졌으면 몰라도, 진공증착이 아닌 스퍼터에서는 위와 같은 그림의 형태로 기판을 위치시키기는 현실적으로 쉽지 않은 경우가 많습니다. 원형 타겟을 사용하도록 건(Gun)의 형태나 크기, 위치 등이 이미 설계되고 제조된 스퍼터장치는 구조 변경 자체가 불가능한 경우가 많기 때문이죠. 본인이 실험하는 스퍼터의 챔버를 열었을때 그 안의 공간이 얼마나 협소하고 복잡한지 잘 알고있을겁니다. 또한 구조를 변경시켰을때 또 다른 전기적, 기계적 문제점도 발생할 수가 있습니다. 그래서 이러한 문제는 가급적이면 스퍼터를 제조하는 처음부터 고려해줘야 합니다. 그런데, 혹시 이 문제가 기판보다 타겟의 크기가 작아서 그렇다면 타겟의 크기를 키우거나 하면 될 것 아닌가 싶기도 합니다. 그러나 정말 타겟의 크기를 키워서 균일하게 입히고자 한다면, 기판보다 훨씬 크기가 커야 하기 때문에 건의 크기도 따라서 커져야 하고 그에 따라 챔버의 크기나 다른 부품들에도 영향을 주게 됩니다. 결국 비용의 상승은 물론이고 작업하기도 힘들어져서 상당히 비 효율적이기 때문에 그냥 기판을 회전시켜서 모든 면에 골고루 입혀지도록 하는게 훨씬 좋은 선택이 될것 같습니다.

   타겟 아래에는 대부분 마그네트론이 장착되어 있는데, 이런 경우는 조금 다릅니다. 마그네트론은 스퍼터링 효율을 크게 증대시켰지만, 대신에 타겟에 집중적으로 스퍼터링이 발생하는 영역이 생기게 되고 그 부분을 erosion 영역이라고 했습니다. 이것을 박막의 입장에서 생각해 본다면 결국 erosion 영역과 바로 마주보고 있는 기판부분은 스퍼터링 되어 들어오는 입자수가 가장 많다는 뜻이 됩니다. 그래서 박막의 두께는 웨이브를 그리며 변화하여 중심부가 얇아지는 현상이 나타나는데, 이 현상은 항상 그런것이 아니며 타겟과 기판과의 거리에 따라서 오히려 중심부의 두께가 두껍게 나타나기도 합니다. 

박막 두께 분포가 타겟의 erosion 영역 모습과 일치하면서 두께가 변화함

타겟과의 거리가 멀어지면 이렇게 될수도 있음

거리를 적절히 조절하다 보면 중심부 두께가 균일하게 되는 지점이 있다

   타겟의 erosion 에 의해 박막의 두께 편차가 발생한다 할지라도 타겟과 기판과의 거리를 적절히 조절하면 중심부 두께를 어느정도 일정하게 만드는 것이 가능합니다만, 생각외로 거리조절이 아예 안되는 장치도 있고, 조절을 해도 두께 편차를 없애지 못하는 경우도 있습니다. 이렇듯 거리조절 만으로는 박막의 균일도를 어느 이상 향상시키기 어렵고, 균일도 향상을 위해서 타겟과 기판의 거리를 멀리 떨어트려 놓으면 증착속도가 감소하거나 물성변화가 나타날 수도 있습니다. 때문에 적당한 거리에서 기판을 회전시키거나 이동시켜서 두께를 균일하게 조절하는 방법을 사용하게 됩니다. 또한 타겟에서 마그네트론의 위치를 계속 바꿔주기도 하고, 자기장의 세기를 조절하여 박막 균일도를 가능한 향상시킬 수 있도록 하는 여러 방법이 사용되고 있습니다.  

  박막의 두께 변화는 단지 스퍼터된 입자와 기판과의 각도나 거리에 따라서만 발생하지는 않습니다. 실제로는 직진하지 않고 플라즈마 내에서 입자간의 충돌이 일어나고, 작업 압력에 따라서도 평균자유행로의 변경으로 인해 변수가 발생하게 되죠. 또한 타겟이나 기판의 형태와 모양에 따라서도 모두 다릅니다. 이렇게 기판 위치에 따른 박막의 두께 변화는 어찌보면 필연적으로 나타나는 문제이기 때문에 박막 두께를 균일하게 만드는 것은 생각외로 어렵습니다. 기판 장착시 대면적 기판은 필히 회전을 시켜서 균일성을 증가시켜야 할 필요가 있고, 작은 크기의 시편은 언제나 장착위치를 동일하게 해줘야 합니다.  이렇듯 실험실은 물론이고 산업체의 라인에서는 박막에 두께 편차가 생기게 되면 바로 불량으로 이어지기 때문에 여러 방법들을 이용해서 이 문제들을 해결하고 있습니다. 보통 라인의 연속스퍼터링(continuous sputtering)에서는 길이 몇 m 의 대면적 타겟이나 원통형 타겟을 쓰면서 마치 스캐너 처럼 기판 or 타겟을 이동시키며 스퍼터링을 시키는 방법으로 언제나 균일한 두께를 유지하도록 조절할 수가 있고, 배치형 챔버에서도 전후좌우상하의 다양한 방향으로 회전을 시킬 수 있습니다. 실험실에서는 보통 몇 인치 정도의 원형 타겟을 사용하고 챔버도 작기 때문에 조건이 제한적이지만 기판 로테이션 장치가 있으면 어느정도 면적 범위에 균일한 증착이 가능합니다. 

보통 라인에서 대면적 기판에 스퍼터링 할때 쓰는 방법

걍 스윽 왔다리 갔다리 몇번 지나가면 끝. 마치 스캐너 같져?

   두께 분포에 의한 불균일성은 ITO 같은 투명한 박막을 입히게 되면 두께가 달라짐에 따라 반사되는 색이 변화하기 때문에 눈으로도 확인이 가능합니다. 무지개빛 같은 간섭무늬 색이 보이게 되죠.  불투명한 금속이나 세라믹 박막은 눈으로 확인하기가 어렵습니다만. 박막 위치를 달리하면서 혹은 타겟과의 거리에 따라 면저항 등을 측정해 본다면 경우에 따라 불과 몇 mm 의 거리 차이에서도 면저항 값이 수십배씩 변화하기도 합니다. 그래서 분명히 조건에 맞게 박막은 잘 입혀놓고, 측정값이 달라서 잘못입혔다고 착각을 하는 경우를 흔히 봅니다. 랜덤하게 여러군데를 측정해서 평균을 내야 하는 경우도 있지만, 이렇게 위치에 따라서 두께가 어떤 규칙성을 가지고 변화하는것을 알고 있는 경우에는 기판이나 시편을 장착할 때도 언제나 같은 자리로 해 줘야 하고, 박막 특성을 측정하는 위치도 언제나 동일한 곳으로 해줘야 합니다. 어느 시편은 박막의 한가운데를 측정하고, 또 다른 시편은 외각쪽을 측정해놓고 왜 측정값이 다를까 고민하면 안된다는 이야기 입니다. 자신이 만든 박막의 두께 분포가 어떻게 되어있는지를 알고 있다면, 광학적, 기계적, 전기적 특성들을 제어하는데 상당한 도움을 줄 수 있습니다. 장비 특성상, 또는 사용자의 인식이나 관심 부족으로 두께가 균일하지 않는 경우가 상당 수 존재하기 때문에 연구자들은 균일도를 향상시키고 일정하게 유지하기 위해 언제나 많은 시간과 노력을 투자하며 신경을 쓰고 있습니다.

...by 개날연..

겨우 4월 지나기전에 끝냈네...ㅠㅠ

이거.. 건강문제가 계속 신경을 쓰게 만드는 군요 -_ -

어디 하루 공기좋은데 가서 쉬었다 오려해도 여의치가 않고..ㅜㅜ

그나마 주말에 어벤져스를 보고왔... -_ -

마리아 힐 짱 -_-b 조으다~ 조으다~ 

글 : 개날라리연구원
그림 : 개날라리연구원
업로드 : 개날라리연구원
발행한곳 : 개날라리연구소



........ - _-y~

이것은 항상 모든 병을 달고 살며 골골골 하는 나의 평소 이야기지-_-

지난주 초, 삐쩍 꼴은 몸뚱아리를 가졌음에도 불구하고 심한 고지혈증-_ -을 지니고 있어서 한동안 약을 먹었었는데.. 몇개월이 지나서 수치가 어떤가  다시 피검사를 하러 병원엘 갔다. 그리곤 피를 뽑는김에 그냥 아무생각 없이 간 검사도 해달라고 했다.

그리고 지난 월요일. 피검사 결과를 보러갔는데...

의사가 막 놀래 -_ - 아니 이게 뭐냐고 ..

고지혈증은 예전 치료전 보다 더 심해졌-_-다는건 문제도 아니고..

간수치가 심각하다. -_ - 40이 정상인데 120이나 치고 올라갔다.

의사가 하는말이..

"간염 걸려서 이러면 설명이 되는데, 간염도 아닌데 이런거면 대단히 복잡해집니다. 간염걸렸기를 바랍시다"

-_-

간염에 걸리면 기뻐해야 하는 웃긴 상황이 되었다. -_-

그러면서 A, B, C 형 간염에 대해 다시 피뽑으면서 재검사.

그런데 그 며칠새 나는 심한 감기몸살이 와버렸다. 목이 아파 말도 잘 못하고 두통도, 열도 .. 코도 막히고 기침도 심해져서 잠을 설치고 있다.

오늘 병원에 검사 결과 보러 갔는데..

불행하게도 간염이 아니란다 -_-

의사가 "아니 대체 무슨 일이 있었을까요. 뭔일이 있나. 스트레스인가. 과로인가. 이해할수가 없네. 대체 무슨일이 있었을까" 혼자 막 중얼거림 -_-

원인을 알 수 없으니 제대로된 치료는 못하겠고, 일단 간을 보호하는 약을 긴급 투여.

긴급으로 입원실에 누워 간을 보호하는 링겔을 3시간여를 맞고 일단 귀가.. -_ -

고지혈증도 심각하고, 심한 몸살감기에 편도 염증도 심한데.. 간때문에 약을 쓰지 못한다 -_ -

간은 간대로, 나머지 아픈건 아픈대로 살아야.. -_ -

이게 모두 간때문이야 간때문이야

..by 개날연..